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CPM2-1200-0080A

Silicon Carbide Power MOSFET C2M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

Features ?HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ?EasytoParallelandSimpletoDrive ?AvalancheRuggedness Benefits ?HigherSystemEfficiency ?ReducedCoolingRequirements ?IncreasedPowerDensity ?IncreasedSystemSwitchingFreq

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CPM2-1200-0080A

1200 V Bare Die SiC MOSFETs – Gen 2; ? Robust intrinsic diode with low reverse recovery charge (Qrr)\n? High-speed switching with low output capacitance\n? Low conduction losses over temperature\n? Avalanche ruggedness\n;

Robust intrinsic diode with low reverse recovery charge (Qrr)High-speed switching with low output capacitanceLow conduction losses over temperatureAvalanche ruggedness

Wolfspeed(CREE)

WOLFSPEED, INC.

CPM2-1200-0080A

Silicon Carbide Power MOSFET

CreeCree, Inc

科銳

CPM2-1200-0080B

HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances

CreeCree, Inc

科銳

SPM2-1200-0080A

SILICONCARBIDE1200V41APOWERMOSFET

?Highblockingvoltagewithlowon-resistance ?HighSpeedSwitchingwithlowcapacitances ?Easytoparallelandsimpletodrive ?Avalancheruggedness ?Resistanttolatch-up ?Silverbackmetal

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Qualification：

    Industrial

  • Package：

    Bare Die

  • Blocking Voltage：

    1200 V

  • RDS(ON) at 25°C：

    80 mΩ

  • Current Rating：

    36 A

  • Gate charge total：

    71 nC

  • Output Capacitance：

    92 pF

  • Reverse-Recovery Charge (Qrr)：

    152 nC

  • Reverse-Recover Time (Trr)：

    24 ns

  • Maximum junction temperature：

    175 °C

  • Generation：

    Gen 2

  • Recommended for New Design?：

    No

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
WOLFSPE
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多CPM2-1200-0080A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:37:00

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