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CP635分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

CP635
廠商型號(hào)

CP635

參數(shù)屬性

CP635 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PWR TRANS PNP 60V 15A

功能描述

Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
PWR TRANS PNP 60V 15A

文件大小

104.12 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

CENTRAL

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 11:07:00

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CP635規(guī)格書詳情

CP635屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP635晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

PROCESS DETAILS

Process GLASS PASSIVATED MESA

Die Size 106 x 106 MILS

Die Thickness 12 MILS

Base Bonding Pad Area 25 x 33 MILS

Emitter Bonding Pad Area 30 x 36 MILS

Top Side Metalization Al - 50,000?

Back Side Metalization Ag - 10,000?

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CP635-H2N3791-CM

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    PWR TRANS PNP 60V 15A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CYPRESS
2138+
原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝
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