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CP336V-2N5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
CP336V-2N5551 |
| 參數(shù)屬性 | CP336V-2N5551 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.6A DIE 1=20PCS |
| 功能描述 | NPN - High Voltage Transistor Die |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
736.5 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | CENTRAL |
| 中文名稱 | 美國(guó)中央半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 9:13:00 |
| 人工找貨 | CP336V-2N5551價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
CP336V-2N5551規(guī)格書詳情
CP336V-2N5551屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP336V-2N5551晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
The CP336V-2N5551 is a silicon NPN transistor designed for high voltage, general purpose applications.
MECHANICAL SPECIFICATIONS:
Die Size 17.3 x 17.3 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Size 3.9 x 3.9 MILS
Emitter Bonding Pad Size 3.9 x 3.9 MILS
Top Side Metalization Al-Si – 17,000?
Back Side Metalization Au – 9,000?
Scribe Alley Width 1.8 MILS
Wafer Diameter 5 INCHES
Gross Die Per Wafer 57,735
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
CP336V-2N5551-CT20
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
300MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.6A DIE 1=20PCS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CYPRESS/賽普拉斯 |
2402+ |
DIP8 |
8324 |
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詢價(jià) | ||
CYPRESS/賽普拉斯 |
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DIP8 |
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