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CP219-2N5339-CT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

CP219-2N5339-CT
廠商型號(hào)

CP219-2N5339-CT

參數(shù)屬性

CP219-2N5339-CT 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 5A DIE

功能描述

NPN - Power Transistor Die 5.0 Amp, 100 Volt
TRANS NPN 100V 5A DIE

封裝外殼

模具

文件大小

861.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

CENTRAL

中文名稱

美國(guó)中央半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 12:00:00

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CP219-2N5339-CT規(guī)格書(shū)詳情

CP219-2N5339-CT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP219-2N5339-CT晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CP219-2N5339-CT

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A DIE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SILICON LABS(芯科)
2511
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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