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CMS01N60Y-HF	文件：648.86 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1n60kr/marking.html">1N60KR；Package：SOT-223；MOSFET Features -Lowreversetransfercapacitances. -ESDimprovedcapability. -Fastswitching. -Lowgatecharge.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CMT01N60	文件：288.4 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
CMT01N60	文件：259.17 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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FTN01N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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GE01N60	文件：297.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
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GJ01N60	文件：238.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGJ01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsand suitedforAC/DCconverters. Features Dynamicdv/dtRating SimpleDriveRequir	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM

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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	CMS01P10T-HF	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	國產(chǎn)	詢價
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