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CMPT5551E數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

CMPT5551E

參數(shù)屬性

CMPT5551E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 220V 0.6A SOT23

功能描述

Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
TRANS NPN 220V 0.6A SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名稱

美國中央半導體

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-20 14:32:00

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CMPT5551E規(guī)格書詳情

簡介

CMPT5551E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的CMPT5551E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :CMPT5551E

  • 生產(chǎn)廠家

    :Central

  • Case

    :SOT-23(TO-236AB)

  • Configuration/ Description

    :NPN High Voltage

  • Polarity

    :NPN

  • IC MAX

    :600mA

  • PD MAX

    :350mW

  • VCEO MAX

    :220V

  • hFE MIN

    :120

  • hFE MAX

    :300

  • @VCE

    :5V

  • @IC

    :10mA

  • VCE(SAT) MAX

    :75mV

  • @IC

    :10mA

  • @IB

    :1mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :6pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :100MHz

  • NF MAX

    :8dB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Central
23+
N/A
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CENTRAL
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SOT-23
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