CMPT5551E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
CMPT5551E |
參數(shù)屬性 | CMPT5551E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 220V 0.6A SOT23 |
功能描述 | ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
119.13 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CENTRAL |
中文名稱 | 美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | CENTRAL |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 8:25:00 |
人工找貨 | CMPT5551E價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
CMPT5551E規(guī)格書詳情
CMPT5551E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CMPT5551E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage and small space saving packaging.
MARKING CODE: C555
FEATURES:
? High Collector Breakdown Voltage 250V
? Low Leakage Current 50nA Max
? Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA
? Complementary Device CMPT5401E
? SOT-23 Surface Mount Package
APPLICATIONS:
? General purpose switching and amplification
? Telephone applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
CMPT5551E TR
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
100mV @ 5mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 10mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
300MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23
- 描述:
TRANS NPN 220V 0.6A SOT23
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA |
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