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DMN2004K	文件：152.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?LowOn-Resistance:RDS(on)=550(max)m?@VGS=4.5V	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES

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