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CLF1G0035S-100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CLF1G0035S-100 |
| 參數(shù)屬性 | CLF1G0035S-100 封裝/外殼為SOT-1228B；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B |
| 功能描述 | Broadband RF power GaN HEMT |
| 封裝外殼 | SOT-1228B |
| 文件大小 |
1.74588 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
AMPLEON【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-17 22:59:00 |
| 人工找貨 | CLF1G0035S-100價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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CLF1G0035S-100規(guī)格書詳情
CLF1G0035S-100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的CLF1G0035S-100晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
CLF1G0035-100 and CLF1G0035S-100 are broadband general purpose 100 W
amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of
operation is from DC to 3.5 GHz.
Features and benefits
? Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz
? 100 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT
? Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)
? High voltage operation (50 V)
? Thermally enhanced package
Applications
? Commercial wireless infrastructure
(cellular, WiMAX)
? Industrial, scientific, medical
? Radar ? Jammers
? Broadband general purpose amplifier ? EMC testing
? Public mobile radios ? Defense application
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
CLF1G0035S-100PU
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
GaN HEMT
- 頻率：
3GHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 輸出：
100W
- 封裝/外殼：
SOT-1228B
- 供應(yīng)商器件封裝：
LDMOST
- 描述：
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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