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FDMA430NZ	文件：638.18 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisSingleN-ChannelMOSFEThasbeendesignedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocesstooptimizetheRDS(on)@VGS=2.5VonspecialMicroFETleadframe. Features ■RDS(on)=40m?@VGS=4.5V,ID=5.0A ■RDS(on)=50m?@VGS=2.5V,ID=4.5A ■Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDMA430NZ	文件：634.54 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench?MOSFET30V,5.0A,40m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDMA430NZ	文件：980.27 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench?MOSFET30V,5.0A,40m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDME430NT	文件：264.24 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench?MOSFET30V,6A,40m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FM430	文件：26.8 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM430M	文件：17.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FMM430	文件：347.18 Kbytes Page：5 Pages	LOWVfSCHOTTKYBATTIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FPN430	文件：48.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2.0Acontinuous. SourcedfromProcessPB.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FPN430A	文件：48.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2.0Acontinuous. SourcedfromProcessPB.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FRL430D	文件：47.46 Kbytes Page：6 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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