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CKP15N65L1中文資料IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)CoolSemi規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

CKP15N65L1

功能描述

IGBT

制造商

CoolSemi Cool Semiconductor Co., Limited

中文名稱(chēng)

功成半導(dǎo)體 上海功成半導(dǎo)體科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 9:31:00

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CKP15N65L1規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)寫(xiě)IGBT)功率器件與VDMOS的差別在于n外延層下面不是n+層而是p+層。導(dǎo)通時(shí)在n型漂移去產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),大幅降低導(dǎo)通壓降。

CoolSemi的IGBT功率器件采用溝槽柵場(chǎng)截至設(shè)計(jì),外延層厚度降低到60um,Vcesat達(dá)到1.45V,性能媲美Infineon IFX6。

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CKP15N65L1

  • 生產(chǎn)廠家

    :CoolSemi

  • IC(A)

    :15

  • VCE(sat)(V)@15V Typ

    :1.7

  • VCE(sat)(V)@15V Max

    :2.4

  • VGE(th)(V)

    :6.8

  • Package

    :TO-220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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