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DI1012S

SurfaceMountBridgeRectifier-Glasspassivatedtype

Glasspassivatedtype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Highsurgecurrentcapability ?I

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

DMD1012

ROHSCOMPLIANTMETALGATERFSILICONFET

SEME-LAB

Seme LAB

DMD1012-A

ROHSCOMPLIANTMETALGATERFSILICONFET

SEME-LAB

Seme LAB

DMG1012T

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) ?ESDProtectedupto2kV ?GreenDevice(Note3) ?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMG1012T

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

DMG1012UW

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) ?ESDProtectedUpTo2KV ?GreenDevice(Note2) ?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMG1012UW

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

DMG1012UWQ

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtected ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMG1012UWQissuitablefo

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DML1012LDS

SINGLECHANNELSMARTLOADSWITCH

Features ?LowRDS(ON)–EnsuresOn-StateLossesAreMinimized ?0.8VtoVBIAS–1.5VInputVoltageRange ?6AContinuousCurrent ?LowRDS(ON)InternalNFETs 8mΩatVBIAS=5V,VIN=1.05V,TA=+85°C ?28μALowQuiescentCurrent ?10μsTurnOnRiseTime ?3.2Vto5.5VBiasVoltage ?Int

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMP1012UFDF

12VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Process：

    Trench

  • ESDYes/No：

    Yes

  • VDSV：

    20

  • VGSV：

    ±12

  • IDA：

    0.5

  • VGS(TH)V：

    0.45~1.2

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：

    250

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：

    700

  • Package：

    SOT-323

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
長電
19+
SOT-323
200000
詢價
CJ/長電
24+
SOT523
98000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
CJ(江蘇長電/長晶)
2447
SOT-323
105000
3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
 詢價
CJ(江蘇長電/長晶)
20+
SOT-323-3
3000
詢價
長電
23+
SOT-323
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
長電
23+
SOT-323
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
長晶
2023
SOT-323
12000
詢價
24+
N/A
52000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
長電
2022+PB
SOT-323
12350
詢價
NK/南科功率
2025+
SOT-323
986966
國產(chǎn)
 詢價
更多CJW1012供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:14:00

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