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  • 快速對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換器

    來源:zhengpingping ， 來源:zhengpingping

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    2013-10-26 22:29:00

  • 巴特勒共基極振蕩器（基本電路）

    電路說明：該電路在串聯(lián)共振或者接近串聯(lián)共振時(shí)工作。比起那些存在寄生現(xiàn)象，需要手動(dòng)調(diào)諧的差勁電路設(shè)計(jì)，該電路還是可以的，而且其頻率穩(wěn)定性也還不錯(cuò)。來源:ruanjuqingsi ， 電路說明：該電路在串聯(lián)共振或者接近串聯(lián)共振時(shí)工作。比起那些存在寄生現(xiàn)象，需要

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    2013-10-26 22:29:00

  • 極性轉(zhuǎn)換器

    電容二極管輸出電路在這兒用作一個(gè)極性轉(zhuǎn)換器，可產(chǎn)生-5v至+15v的電源。該電路用于當(dāng)不需要使用額外的升壓晶體管時(shí)20ma的輸出電流。由于輸出晶體管和電流是受限制的，所以也就不需要有額外的保護(hù)電路了。來源:zhengyuan ， 電容二極管輸出電路在這兒用作一個(gè)極性轉(zhuǎn)換器，可產(chǎn)生-5v至+15v的電源。該

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    2013-10-26 22:29:00

  • 精密時(shí)鐘發(fā)生器

    電路說明：cmos電路直接驅(qū)動(dòng)來自兩個(gè)緩沖輸出的任何一個(gè)的5ttl負(fù)荷。該電路的工作頻率是10mhz，是一個(gè)與cmos兼容的兩極場(chǎng)效應(yīng)管。來源:zhengpingping ， 電路說明：cmos電路直接驅(qū)動(dòng)來自兩個(gè)緩沖輸出的任何一個(gè)的5ttl負(fù)荷。該

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    2013-10-26 22:29:00

  • 溫度-頻率轉(zhuǎn)換器

    來源:zhengwei ， 來源:zhengwei

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    2013-10-26 22:29:00

  • 多路器BCE-TOT平行十進(jìn)制轉(zhuǎn)換器

    該轉(zhuǎn)換器是由四個(gè)被ld110的數(shù)字頻閃燈輸出按一定順序激活的四方雙穩(wěn)態(tài)閉鎖電路。該四方閉鎖電路的補(bǔ)充輸出q用來說明當(dāng)數(shù)字頻閃燈升高時(shí)的比特輸出情況。當(dāng)頻閃燈降低的時(shí)候，該電路的比特輸出不會(huì)改變。來源:ruanjuqingsi ， 該轉(zhuǎn)換器是由四個(gè)被ld110的數(shù)字頻閃燈輸出按一定順序激活的四方雙穩(wěn)態(tài)閉鎖電

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    2013-10-26 22:29:00

  • 巴特勒非周期振蕩器

    電路說明：在50khz到500khz的范圍內(nèi)該電路運(yùn)行良好。如果要想在更高的頻率范圍中工作，需要輕微地調(diào)整一下元件。比如要超過3000khz的話，需要用到一個(gè)在工作頻率內(nèi)能夠提供適度增益（范圍是60至150）的晶體管和一個(gè)在頻率至少為100mhz時(shí)產(chǎn)生的增益寬帶。來， 電路說明：在50khz到500khz的范圍內(nèi)該電路運(yùn)行良好。如果要想在更高的

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    2013-10-26 22:29:00

  • 1 HI的國(guó)際晶體振蕩器

    電路說明：1hi振蕩器的國(guó)際晶體可用于三階諧波晶體中。該電路不需要電感器。來源:panyueyingying ， 電路說明：1hi振蕩器的國(guó)際晶體可用于三階諧波晶體中。該電路不需要電感器。來源:panyueyingying

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    2013-10-26 22:29:00

  • 或門

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    2013-10-26 22:29:00

  • 電容性負(fù)載的發(fā)射跟隨器電路

    該電路可克服當(dāng)發(fā)射跟隨器使用npn時(shí)產(chǎn)生的脈沖問題。晶體管驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載。當(dāng)發(fā)射跟隨器在輸入波形的下降沿停止導(dǎo)電時(shí)，可使用額外的晶體管來轉(zhuǎn)儲(chǔ)電容的電荷。脈沖下降沿這樣就切斷了一個(gè)飽和的低晶體管，導(dǎo)致釋放電容的發(fā)生。來源:panyueyingying ， 該電路可克服當(dāng)發(fā)射跟隨器使用npn時(shí)產(chǎn)生的脈沖問題。晶體管驅(qū)動(dòng)電容負(fù)載。當(dāng)發(fā)

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    2013-10-26 22:29:00

  • 1MHz標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器電路圖

    來源:zhengpingping ， 來源:zhengpingping

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    2013-10-26 22:29:00

  • 晶控正弦波振蕩器

    來源:ruanjuqingsi ， 來源:ruanjuqingsi

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    2013-10-26 22:29:00

  • TTL兼容晶體振蕩器

    電路說明：調(diào)整2v第一個(gè)門輸出的阻力指數(shù)和c1可以得到最大的輸出。來源:zhengpingping ， 電路說明：調(diào)整2v第一個(gè)門輸出的阻力指數(shù)和c1可以得到最大的輸出。來源:zhengpingping

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    2013-10-26 22:29:00

  • 穩(wěn)定的低頻晶體振蕩器電路

    電路說明：這種考畢茲晶體振蕩器是一種理想的低頻晶體振蕩電路。由于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電路2n3823的負(fù)載不會(huì)隨著溫度的變化而變化，所以電路的穩(wěn)定性很好。來源:zhengwei ， 電路說明：這種考畢茲晶體振蕩器是一種理想的低頻晶體振蕩電路。由于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電

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    2013-10-26 22:29:00

  • 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管穿透式晶體振蕩器

    電路說明：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管穿透式晶體振蕩器可使晶體管在很大的范圍內(nèi)不需電路調(diào)整就可以直接使用。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管門不能負(fù)載晶體管，需要保持q的狀態(tài)很好，所以頻率的穩(wěn)定性必須要好。來源:panyueyingying ， 電路說明：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管穿透式晶體振蕩器可使晶體管在很大的范圍內(nèi)不需電路調(diào)整就

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    2013-10-26 22:29:00

  • CMOS振蕩器（1MHz-4MHz）

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    2013-10-26 22:29:00

  • 可編程門電路

    該可編程門通過在功能輸入運(yùn)用一個(gè)邏輯“1”就可以轉(zhuǎn)化一個(gè)與門或者一個(gè)或門。其邏輯設(shè)計(jì)使用8個(gè)雙輸入與非門。門的數(shù)量可能會(huì)隨著5個(gè)與非門的關(guān)閉而減少，與非門的關(guān)閉可以用虛線和一個(gè)雙輸入的額外的或門比如ttl7486來代替。來源:ruanjuqingsi ， 該可編程門通過在功能輸入運(yùn)用一個(gè)邏輯“1”就可以轉(zhuǎn)化一個(gè)與門或者一個(gè)或門。其

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    2013-10-26 22:29:00

  • 與門

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    2013-10-26 22:29:00

  • R-S觸發(fā)器

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    2013-10-26 22:29:00

  • 大的輸入與門

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    2013-10-26 22:29:00

  • 單運(yùn)放振蕩器

    該電路有一個(gè)施密特觸發(fā)器和內(nèi)置圍繞一個(gè)集成運(yùn)算放大器。時(shí)序是由rc網(wǎng)控制的。反相輸入電壓在上下滯留水平上跟隨rc的充電指數(shù)。電容的放電時(shí)間變成上升時(shí)間的十倍。來源:zhengwei ， 該電路有一個(gè)施密特觸發(fā)器和內(nèi)置圍繞一個(gè)集成運(yùn)算放大器。時(shí)序是由rc網(wǎng)控制的。

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    2013-10-26 22:29:00

  • 可編程脈沖產(chǎn)生器

    對(duì)于差分組合q4和q5，快的上升和下降時(shí)間需要高速開關(guān)晶體管。適當(dāng)?shù)膮⒖伎赡墚a(chǎn)生線性放大器和正弦波。來源:panyueyingying ， 對(duì)于差分組合q4和q5，快的上升和下降時(shí)間需要高速開關(guān)晶體管。適當(dāng)?shù)膮⒖伎赡墚a(chǎn)生線性放大器和正弦波。來源:p

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    2013-10-26 22:29:00

  • 自激振蕩器

    來源:zhengyuan ， 來源:zhengyuan

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    2013-10-26 22:29:00

  • 穿透式諧波振蕩器（100MHz）

    電路圖說明：該晶體管的集電極的輸出阻抗和c1的有效值一起提供了一個(gè)30-500的遙控相位滯后。晶體振蕩器的振蕩通常要大于電阻式和感應(yīng)式串聯(lián)共振。超過串聯(lián)共振時(shí)，晶體管的內(nèi)部阻抗和c2一起提供一個(gè)130-1500的無線鏈路控制相位滯后。來源:zhengwei ， 電路圖說明：該晶體管的集電極的輸出阻抗和c1的有效值一起提供了一個(gè)30-50

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    2013-10-26 22:29:00

  • 敏感蓋革計(jì)數(shù)器

    來源:zhengwei ， 來源:zhengwei

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    2013-10-26 22:29:00