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TDA8510

26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

TDA8510J

26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

TPCP8510

TransistorSiliconNPNEpitaxialType

High-Speed,High-VoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) ?Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) ?High-speedswitching:tf=0.2μs(typ)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCP8510

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TS8510VB

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TS8510VB

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. ?? GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TS8510VB

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES ?Packagetype:chip ?Packageform:singlechip ?Technology:surfaceemitter ?Dimensionschip(LxWxH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TS8510VB-SD-F

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES ?Packagetype:chip ?Packageform:singlechip ?Technology:surfaceemitter ?Dimensionschip(LxWxH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TS8510VB-SD-F

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. ?? GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UFR8510

ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CHL8510CRT

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，1V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    3A，4A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    21ns，18ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    10-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-DFN（3x3）

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
QFN10
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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QFN10
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CHIL
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QFN10
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Infineon(英飛凌)
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Infineon(英飛凌)
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DFN-10L(3x3)
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百分百原裝正品,可原型號(hào)開票
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INFINEON/英飛凌
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QFN
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DFN10
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全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).
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更多CHL8510CRT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-15 16:36:00

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