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零件型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CGHV1J025D	文件：1.28552 Mbytes Page：10 Pages	25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die Description Wolfspeed’sCGHV1J025Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhighfrequency, highefficiencyfeatures.Itisidealfor	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGHV1J025D	文件：763.94 Kbytes Page：9 Pages	25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die	CreeCree, Inc 科銳	Cree
CGHV1J025D-GP4	文件：300 bytes Page：1 Pages	25 W; 18.0 GHz; GaN HEMT Die; ·17 dB Typ. Small Signal Gain at 10 GHz\n·60% Typ. PAE at 10 GHz\n·25 W Typical PSAT\n·40 V Operation\n·Up to 18 GHz Operation\n; The CGHV1J025D is a high-voltage; gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) on a silicon-carbide substrate; using a ?0.25-μm ?gate-length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high-frequency; high-efficiency features. It is ideal for a variety of applications operating from 10 MHz to 18 GHz at 40 V with a high breakdown voltage.\n\n	MACOMTyco Electronics 瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司	MACOM

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CGHV1J025D

文件：1.28552 Mbytes

Page：10 Pages

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCGHV1J025Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhighfrequency, highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

CGHV1J025D

文件：763.94 Kbytes

Page：9 Pages

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳

Cree

CGHV1J025D-GP4

文件：300 bytes

Page：1 Pages

25 W; 18.0 GHz; GaN HEMT Die; ·17 dB Typ. Small Signal Gain at 10 GHz\n·60% Typ. PAE at 10 GHz\n·25 W Typical PSAT\n·40 V Operation\n·Up to 18 GHz Operation\n;

The CGHV1J025D is a high-voltage; gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) on a silicon-carbide substrate; using a ?0.25-μm ?gate-length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high-frequency; high-efficiency features. It is ideal for a variety of applications operating from 10 MHz to 18 GHz at 40 V with a high breakdown voltage.\n\n

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司

MACOM

技術(shù)參數(shù)

Min Frequency(MHz)：
0
Max Frequency(MHz)：
18000
Peak Output Power(W)：
25
Gain(dB)：
17.0
Efficiency(%)：
60
Operating Voltage(V)：
40
Form：
Discrete Bare Die
Package Category：
Die
Technology：
GaN-on-SiC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	CGHV1J025D	CREE	24+	SMD	600	“芯達(dá)集團(tuán)”專營(yíng)軍工百分之百原裝進(jìn)口	詢價(jià)
深圳市云美電子科技有限公司	CGHV1J025D	MACOM	25+	LFCSP	7760	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	CGHV1J025D	MACOM	24+		5000	原裝軍類可排單	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	CGHV1J025D	CREE	24+	N/A	90000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	CGHV1J025D	CREE/科銳	14+	die	50	CREE優(yōu)勢(shì)訂貨-軍工器件供應(yīng)商	詢價(jià)
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	CGHV1J025D	CREE			638	原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CGHV1J025D	CREE	2023+	現(xiàn)貨熱賣,原裝	8700	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	CGHV1J025D	MACOM	25+	NV	2025424	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市東來(lái)寶電子科技有限公司	CGHV1J025D	MACOM	25+	LFCSP	7760	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	CGHV1J025D-GP4	WOLFSPEED	1809+	模具	96	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)

更多CGHV1J025D供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-29 14:26:00

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