CGH40006S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
CGH40006S |
參數(shù)屬性 | CGH40006S 封裝/外殼為6-VDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 28V 6QFN |
功能描述 | 6 W, RF Power GaN HEMT, Plastic |
封裝外殼 | 6-VDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
2.10268 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-15 15:41:00 |
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CGH40006S規(guī)格書詳情
CGH40006S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGH40006S晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
Wolfspeed’s CGH40006S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40006S, operating from a
28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of
RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high
gain and wide bandwidth capabilities making the CGH40006S ideal for
linear and compressed amplifier circuits. The transistor is available in a
3mm x 3mm, surface mount, quad-flat-no-lead (QFN) package.
Large Signal Models Available for ADS and MWO
特性 Features
? Up to 6 GHz Operation
? 13 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
? 11 dB Small Signal Gain at 6.0 GHz
? 8 W typical at PIN = 32 dBm
? 65 Efficiency at PIN = 32 dBm
? 28 V Operation
? 3mm x 3mm Package
Applications
? 2-Way Private Radio
? Broadband Amplifiers
? Cellular Infrastructure
? Test Instrumentation
? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,
W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
CGH40006S
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
GaN
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
HEMT
- 頻率:
0Hz ~ 6GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 輸出:
8W
- 封裝/外殼:
6-VDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
6-QFN-EP(3x3)
- 描述:
RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE(科銳) |
23+ |
NA |
20094 |
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