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CGH27060F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CGH27060F
廠商型號(hào)

CGH27060F

參數(shù)屬性

CGH27060F 封裝/外殼為440193;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 28V 440193

功能描述

60 W Peak, 28 V, GaN HEMT for Linear Communications from VHF to 3 GHz
RF MOSFET HEMT 28V 440193

封裝外殼

440193

文件大小

4.55953 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-12 17:03:00

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CGH27060F規(guī)格書詳情

CGH27060F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGH27060F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

Wolfspeed’s CGH27060F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility

transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and

wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27060F ideal for VHF,

Comms, 3G, 4G, LTE, 2.3-2.9GHz WiMAX and BWA amplifier applications.

The unmatched transistor is supplied in a ceramic/metal flange package.

特性 Features

? VHF - 3.0 GHz Operation

? 14 dB Small Signal Gain

? 8.0 W PAVE at < 2.0 EVM

? 27 Drain Efficiency at 8 W Average Power

? WiMAX Fixed Access 802.16-2004 OFDM

? WiMAX Mobile Access 802.16e OFDMA

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CGH27060F

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    3GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    60W

  • 封裝/外殼:

    440193

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    440193

  • 描述:

    RF MOSFET HEMT 28V 440193

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨
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