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MTM12N10

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTM12N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTM12N10E

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP12N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP12N10E

TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.16OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP12N10E

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP12N10E

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP12N10L

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

NTD12N10

PowerMOSFET12Amps,100VoltsN??hannelEnhancement??odeDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD12N10

PowerMOSFET12Amps,100Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    100

  • Rds(on)mΩ@10V：

    175

  • Rds(on)mΩ@5V：

    185

  • ID(A)：

    11

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    12

  • RθJC(℃/W)：

    3.5

  • Pd(W)：

    43

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CETSEMI
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CETSEMI原裝特價(jià)CEU12N10L即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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CET
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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CET/華瑞
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原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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CET
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原裝正品，支持實(shí)單
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VBsemi
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TO252
10065
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
更多CEU12N10L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:33:00

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