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FDC640P

P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgateversionofFairchild’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features ?–4.5A,–20VRDS(ON)=0.053?@VGS=

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDC640P

P-Channel2.5VPowerTrenchSpecifiedMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FM640

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

RECTRON

Rectron Semiconductor

FM640-T

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FTK640D

18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK640DD

18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

FTK640F

18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET

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First Silicon Co., Ltd

FTK640P

18A,200V,0.155廓,N-CHANNELPOWERMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

GBG640CT

lowvoltage,highfrequencyinverter,

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GBG640CT

TheGBG640CTisdesignedforlowvoltage,highfrequencyinverter,freewheeling,andpolarityprotectionapplication

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    200

  • Rds(on)mΩ@10V：

    150

  • ID(A)：

    19

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    44

  • RθJC(℃/W)：

    1

  • Pd(W)：

    125

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CETSEMI
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更多CEPF640供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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