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CEM6188

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■60V,7.3A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=35mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEM6188

Dual N-Channel Advanced Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=9A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

CEM6188

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEM6188

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEM6188A

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,7.4A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=31mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM6188A

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    60

  • Rds(on)mΩ@10V：

    26

  • Rds(on)mΩ@4.5V：

    35

  • ID(A)：

    7.3

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    26

  • RθJC(℃/W)：

    62.5

  • Pd(W)：

    2

  • Configuration：

    Dual

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CEM6188供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 20:12:00

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