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CEG2187D中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEG2187D
廠商型號

CEG2187D

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

608.71 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

CET-MOS

中文名稱

華瑞

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 16:27:00

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CEG2187D規(guī)格書詳情

FEATURES

-20V, -6.5A, RDS(ON) = 18mW @VGS = -4.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TSSOP-8 for Surface Mount Package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 24mW @VGS = -2.5V.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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