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CED6362中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED6362
廠商型號

CED6362

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

436.45 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

CET-MOS CET-MOS Technology Corp.

中文名稱

華瑞 華瑞功率電子股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 16:49:00

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CED6362規(guī)格書詳情

FEATURES

60V, 20.7A, RDS(ON) = 45mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 52mW @VGS = 4.5V.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO-251
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