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CED55N10中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CED55N10
廠商型號(hào)

CED55N10

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

868.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

CET

中文名稱

華瑞

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-7 18:12:00

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CED55N10規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

■ 100V, 55A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V.

■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

■ High power and current handing capability.

■ Lead-free plating ; RoHS compliant.

■ TO-251 & TO-252 package.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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