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CED11N65S中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CED11N65S
廠商型號(hào)

CED11N65S

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

519.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

CET-MOS CET-MOS Technology Corp.

中文名稱

華瑞 華瑞功率電子股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-23 20:00:00

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CED11N65S規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

650V, 8A, RDS(ON) = 0.42W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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