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CEB60N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5m?@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB60N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,57A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEB60N10

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP60N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEP60N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5m?@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP60N10

60A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET

GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220C

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

CEP60N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,57A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

D60N10

60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D60N10

60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D60N10

60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    100

  • Rds(on)mΩ@10V：

    24

  • ID(A)：

    57

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    64

  • RθJC(℃/W)：

    0.75

  • Pd(W)：

    200

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
CET/華瑞
24+
TO-263
499596
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
CET
24+
5000
詢價(jià)
CET
24+
TO-263
90000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
 詢價(jià)
CET
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
23+
T0-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
C
23+
T0-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
VBsemi
21+
TO263
10026
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
CET
23+
TO-263
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
CET
23+
TO-263
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多CEB60N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:06:00

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