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CE3512K2-C1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CE3512K2-C1
廠商型號

CE3512K2-C1

參數(shù)屬性

CE3512K2-C1 封裝/外殼為4-Micro-X;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

功能描述

12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

封裝外殼

4-Micro-X

文件大小

758.2 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

CEL California Eastern Labs

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-13 16:29:00

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CE3512K2-C1規(guī)格書詳情

CE3512K2-C1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的CE3512K2-C1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CE3512K2-C1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    13.7dB

  • 額定電流(安培):

    15mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.5dB

  • 功率 - 輸出:

    125mW

  • 封裝/外殼:

    4-Micro-X

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-Micro-X

  • 描述:

    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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