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IRLML6402	文件：1.89655 Mbytes Page：5 Pages	-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyIRLML6402 GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
IRLML6402	文件：3.71404 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●Ultralowon-resistance. ●P-ChannelMOSFET. ●SOT-23Footprint. ●Lowprofile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLML6402	文件：1.96158 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features Ultralowon-resistance. P-ChannelMOSFET. SOT-23Footprint. Lowprofile(	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRLML6402GTRPBF	文件：1.08254 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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IRLML6402TRPBF	文件：278.64 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

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