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FDN337N

ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1148/ADS1248

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

FDN337N

N-Channel30V(D-S)MOSFET

Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability. VDS(V)=30V D=2.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

FDN337N

N-ChannelMOSFET

Features VDS(V)=30V ID=2.2A RDS(ON)=0.065?@VGS=4.5V RDS(ON)=0.082?@VGS=2.5V

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN337N-NL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

FRW337

SAWResonator-RemoteControl

TEMEX

temex

GBC337

NPNSILICONTRANSISTOR

Description TheGBC337isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA ComplementarytoGBC327

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GBC337

TheGBC337isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

GHI-ALFATOEM-337

ALFATOEMBoard

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

H337

NPNSILICONTRANSISTOR

SWITCHINGANDAMPLFIERAPPLICATIONS SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司

HBC337

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHBC337isdesignedfordriverandoutput-stageofaudioamplifiers. Features ?HighDCCurrentGain:100-600atIC=100mA,VCE=1V ?ComplementarytoHBC327

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TexasInstruments
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ICCLKBUFFER1:880MHZ20SOI
6580
公司原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢!
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Texas Instruments
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TI(德州儀器)
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TI/德州儀器
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SOIC-20
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
TI
23+
20SOIC
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多CDC337DW.B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 8:30:00

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