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CEP4060AL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,17A,RDS(ON)=75mW@VGS=10V. RDS(ON)=90mW@VGS=5.0V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP4060AR

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ?60V,15A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. ?SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Highpowerandcurrenthandlingcapability. ?TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP4060L

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=90m?@VGS=10V. RDS(ON)=100m?@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU4060A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU4060A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU4060A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,15A,RDS(ON)=85mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU4060AL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU4060AL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=80m?@VGS=10V. RDS(ON)=95m?@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU4060AL

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEU4060AL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=75mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=90mW@VGS=5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CD4060BMT

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 計(jì)數(shù)器，除法器

  • 系列：

    4000B

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 邏輯類(lèi)型：

    二進(jìn)制計(jì)數(shù)器

  • 方向：

    上

  • 復(fù)位：

    異步

  • 觸發(fā)器類(lèi)型：

    負(fù)邊沿

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-SOIC

  • 描述：

    IC BINARY COUNTER/DIV/OSC 16SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
更多CD4060BMT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:54:00

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