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CP221

SmallSignalTransistor

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALBASE DieSize39.5X39.5MILS DieThickness9.8MILS BaseBondingPadArea3.9x5.1MILS EmitterBondingPadArea7.9x3.9MILS TopSideMetalizationAl-24,000? BackSideMetalizationAu-12,000?

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

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更多CD221NCP供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 16:30:00