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CHDTA113TKPT	文件：93.34 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbiasresi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
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CHDTA113ZEPT	文件：197.66 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-75/SOT-416) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTA113ZKPT	文件：189.28 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbiasresi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTA113ZUPT	文件：210.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTB113EKPT	文件：171.6 Kbytes Page：3 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT500mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC113ZUPT	文件：92.78 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTD113EKPT	文件：119.84 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT500mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTD113ZKPT	文件：142.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTD113ZUPT	文件：170.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT500mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
CC113LRGPR
制造商：
Texas Instruments
類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻接收器
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
頻率：
315MHz，433MHz，868MHz，915MHz
靈敏度：
-116dBm
數(shù)據(jù)速率（最大值）：
600kbps
調(diào)制或協(xié)議：
FSK，GFSK，OOK
應(yīng)用：
通用
電流 - 接收：
17.1mA
數(shù)據(jù)接口：
PCB，表面貼裝
天線連接器：
PCB，表面貼裝
電壓 - 供電：
1.8V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
20-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：
20-QFN（4x4）
描述：
RF RX FSK/GFSK 315/433MHZ 20QFN

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