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CAT24C44VI-T3集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

CAT24C44VI-T3
廠商型號

CAT24C44VI-T3

參數(shù)屬性

CAT24C44VI-T3 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256B SPI 1MHZ 8SOIC

功能描述

256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
IC NVSRAM 256B SPI 1MHZ 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

67.53 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-6 14:21:00

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CAT24C44VI-T3規(guī)格書詳情

CAT24C44VI-T3屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的CAT24C44VI-T3存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

DESCRIPTION

The CAT24C44 Serial NVRAM is a 256-bit nonvolatile memory organized as 16 words x 16 bits. The high speed Static RAM array is bit for bit backed up by a nonvolatile EEPROM array which allows for easy transfer of data from RAM array to EEPROM (STORE) and from EEPROM to RAM (RECALL). STORE operations are completed in 10ms max. and RECALL operations typically within 1.5μs. The CAT24C44 features unlimited RAM write operations either through external RAM writes or internal recalls from EEPROM. Internal false store protection circuitry prohibits STORE operations when VCC is less than 3.5V (typical) ensuring EEPROM data integrity.

FEATURES

■ Single 5V Supply

■ Infinite EEPROM to RAM Recall

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ Low CMOS Power Consumption:

–Active: 3mA Max.

–Standby: 30μA Max.

■ Power Up/Down Protection

■ 10 Year Data Retention

■ JEDEC Standard Pinouts:

–8-lead DIP

–8-lead SOIC

■ 100,000 Program/Erase Cycles (EEPROM)

■ Auto Recall on Power-up

■ Commercial, Industrial and Automotive Temperature Ranges

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CAT24C44VI-T3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    256b(16 x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    SPI

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC NVSRAM 256B SPI 1MHZ 8SOIC

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