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CA3127M

High Frequency NPN Transistor Array

Description TheCA3127consistsoffivegeneralpurposesiliconNPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Eachofthecompletelyisolatedtransistorsexhibitslow1/fnoiseandavalueoffTinexcessof1GHz,makingtheCA3127usefulfromDCto500MHz.Accessisprovidedtoeachofthet

Intersil

Intersil Corporation

CA3127M

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ca3127/marking.html">CA3127；Package：16LdSOIC；High Frequency NPN Transistor Array

HighFrequencyNPNTransistorArray TheCA3127consistsoffivegeneralpurposesiliconNPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Eachofthecompletelyisolatedtransistorsexhibitslow1/fnoiseandavalueoffTinexcessof1GHz,makingtheCA3127usefulfromDCto500MHz.Accessisp

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瑞薩瑞薩科技有限公司

CA3127M

High Frequency NPN Transistor Array

High Frequency NPN Transistor Array\n\nThe CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz.; ? Gain Bandwidth Product (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . 1GHz\n? Power Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30dB (Typ) at 100MHz\n? Noise Figure. . . . . . . . . . . . . . . . .? 3.5dB (Typ) at 100MHz\n? Five Independent Transistors on a Common Substrate\n? Pb-Free Plus Anneal Available (;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

CA3127M

High Frequency NPN Transistor Array

Intersil

Intersil Corporation

CA3127M96

High Frequency NPN Transistor Array

Description TheCA3127consistsoffivegeneralpurposesiliconNPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Eachofthecompletelyisolatedtransistorsexhibitslow1/fnoiseandavalueoffTinexcessof1GHz,makingtheCA3127usefulfromDCto500MHz.Accessisprovidedtoeachofthet

Intersil

Intersil Corporation

CA3127MZ

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ca3127mz/marking.html">CA3127MZ；Package：16LdSOIC；High Frequency NPN Transistor Array

HighFrequencyNPNTransistorArray TheCA3127consistsoffivegeneralpurposesiliconNPNtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.Eachofthecompletelyisolatedtransistorsexhibitslow1/fnoiseandavalueoffTinexcessof1GHz,makingtheCA3127usefulfromDCto500MHz.Accessisp

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CA3127MZ

High Frequency NPN Transistor Array

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CA3127MZ

Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

詳細參數(shù)

  • 型號：

    CA3127M

  • 功能描述：

    TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> RF 晶體管(BJT)

  • 系列：

    -

  • 產品變化通告：

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 標準包裝：

    1

  • 晶體管類型：

    NPN 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    4.7V 頻率 -

  • 轉換：

    47GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）：

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益：

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大：

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE)：

    160 @ 25mA，3V 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    45mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商設備封裝：

    4-TSFP

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    BFP 740FESD E6327DKR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CA3127M供應商 更新時間2025-7-31 17:06:00

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