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FTK0910D	文件：912.76 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK0910S	文件：990.76 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRB0910	文件：104.23 Kbytes Page：2 Pages	THRU-HOLEINDUCTORSIRSeries:RadialLeaded,LowtoMediumCurrent	RFERFE international RFE國際公司RFE國際股份有限公司	RFE
MAZS0910H	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
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MGF0910A	文件：213.81 Kbytes Page：4 Pages	High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0910A	文件：207.96 Kbytes Page：4 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0910A	文件：26.22 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET DESCRIPTION TheMGF0910A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES ?ClassAoperation ?Highoutputpower P1dB=38.0dBm(TYP.)@f=2.3GHz ?Highpowergain GLP=11.0dB(TYP.)@f=2.3GHz ?Highpoweraddedefficiency P.A.E=	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MSA-0910	文件：53.85 Kbytes Page：4 Pages	CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier Description TheMSA-0910isahighperformancesiliconbipolarMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)housedinahermetic,highreliabilitypackage.ThisMMICisdesignedforverywidebandwidthindustrialandmilitaryapplicationsthatrequireflatgainandlowVSWR. Features ?Broadb	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP

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深圳市聯(lián)世界科技有限公司	C091101400251	AMPHENOL	24+/25+		961	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
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