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BUZ906P

P-CHANNEL POWER MOSFET

POWERMOSFETSFORAUDIOAPPLICATIONS FEATURES ?HIGHSPEEDSWITCHING ?P–CHANNELPOWERMOSFET ?SEMEFABDESIGNEDANDDIFFUSED ?HIGHVOLTAGE(160V&200V) ?HIGHENERGYRATING ?ENHANCEMENTMODE ?INTEGRALPROTECTIONDIODE ?N–CHANNELALSOAVAILABLEASBUZ900P&

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

BUZ906P

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ906P

BUZ906P - 晶體管, MOSFET, P溝道, 8 A, -200 V, 1.5 ohm, -1.5 V; ·Integral protection mode\n·Semefab designed and diffused\n;

The BUZ906P is a P-channel enhanced mode Power MOSFET with high speed switching and high energy rating.

TT ElectronicsTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

BUZ906P

P-CHANNEL POWER MOSFET;

ETC

ETC

BV03C

BENCENT
SOD323

BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd.

檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司

相關(guān)企業(yè)：深圳市瑞卓芯科技有限公司

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更多BUZ906P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:17:00

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