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BUV21分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BUV21
廠商型號

BUV21

參數(shù)屬性

BUV21 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 200V 40A TO204

功能描述

40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 250 WATTS

封裝外殼

TO-204AE

文件大小

139.76 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

MOTOROLA

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 23:00:00

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BUV21規(guī)格書詳情

SWITCHMODE Series

NPN Silicon Power Transistor

. . . designed for high speed, high current, high power applications.

? High DC current gain:

hFE min. = 20 at IC = 12 A

? Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A

Very fast switching times:

TF max. = 0.4 μs at IC = 25 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BUV21G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    SWITCHMODE?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 3A,25A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    3mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 12A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    8MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 40A TO204

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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