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BUK9Y53-100B中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK9Y53-100B
廠商型號

BUK9Y53-100B

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

643.63 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-7 23:00:00

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BUK9Y53-100B規(guī)格書詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package

using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

1.2 Features

1.3 Applications

1.4 Quick reference data

n Very low on-state resistance n Q101 compliant

n 175 °C rated n Logic level compatible

n Automotive systems n General purpose power switching

n Motors, lamps and solenoids n 12 V, 24 V and 42 V loads

n EDS(AL)S £ 85 mJ n RDSon = 45 mW (typ)

n ID £ 23 A n Ptot £ 75 W

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK9Y53-100B

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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