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BUK9880-55中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK9880-55
廠商型號

BUK9880-55

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

346.58 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-1 23:01:00

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BUK9880-55規(guī)格書詳情

1. General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

2. Features and benefits

? AEC Q101 compliant

? Electrostatically robust due to integrated protection diodes

? Low conduction losses due to low on-state resistance

3. Applications

? Automotive and general purpose power switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK9880-55

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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