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BUK9508-55中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK9508-55
廠商型號

BUK9508-55

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

文件大小

64.65 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-19 23:01:00

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BUK9508-55規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in automotive and general purpose switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK9508-55

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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