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BUK9212-55B中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK9212-55B
廠商型號(hào)

BUK9212-55B

功能描述

TrenchMOS logic level FET

文件大小

98.79 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-20 10:19:00

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BUK9212-55B規(guī)格書詳情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS? technology.

特性 Features

■ Very low on-state resistance

■ Q101 compliant

■ 185 °C rated

■ Logic level compatible.

Applications

■ Automotive systems

■ 12 V and 24 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BUK9212-55B

  • 功能描述:

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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