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BUK7Y102-100B中文資料安世數據手冊PDF規(guī)格書

BUK7Y102-100B
廠商型號

BUK7Y102-100B

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

938.39 Kbytes

頁面數量

14

生產廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

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數據手冊

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更新時間

2025-8-20 23:01:00

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BUK7Y102-100B規(guī)格書詳情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use

in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

? Q101 compliant

? Suitable for standard level gate drive

sources

? Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

? 12 V, 24 V and 42 V loads

? Automotive systems

? DC-to-DC converters

? General purpose power switching

? Solenoid drivers

產品屬性

  • 型號:

    BUK7Y102-100B

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
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