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BUK6D30-40E中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK6D30-40E
廠商型號

BUK6D30-40E

功能描述

40 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

K6

封裝外殼

DFN2020MD-6

文件大小

294.4 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 23:00:00

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BUK6D30-40E規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6

(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

? Trench MOSFET technology

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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