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BUK6D120-60P中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BUK6D120-60P
廠商型號(hào)

BUK6D120-60P

功能描述

60 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

4S

封裝外殼

DFN2020MD-6

文件大小

322.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 13:01:00

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BUK6D120-60P規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Extended temperature range Tj = 175 ℃

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Trench MOSFET technology

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Nexperia USA Inc.
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