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BUK4D110-20P中文資料安世數據手冊PDF規(guī)格書

BUK4D110-20P
廠商型號

BUK4D110-20P

功能描述

20 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標識

6N

封裝外殼

DFN2020MD-6

文件大小

299.85 Kbytes

頁面數量

15

生產廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

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數據手冊

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更新時間

2025-8-11 17:59:00

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BUK4D110-20P規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6

(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Trench MOSFET technology

? Very fast switching

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? DC to DC conversion

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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