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BUH100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BUH100
廠商型號

BUH100

參數(shù)屬性

BUH100 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 700V 10A TO220

功能描述

POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 700 VOLTS 100 WATTS
TRANS NPN 700V 10A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

474.84 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 17:46:00

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BUH100規(guī)格書詳情

BUH100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BUH100晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

SWITCHMODE NPN Silicon Planar Power Transistor

The BUH100 has an application specific state–of–art die designed for use in 100 Watts Halogen electronic transformers.

This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current during either the start–up conditions or under a short circuit across the load.

This High voltage/High speed product exhibits the following main features:

?Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:

High and Flat DC Current Gain hFE

Fast Switching

?Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture this Device

?ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BUH100

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    SWITCHMODE?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    750mV @ 1.5A,7A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    23MHz

  • 工作溫度:

    -60°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 700V 10A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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