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C4311A

2C20SOLIDTCSR-PVCPVCCOMMUNICATIONCABLE

GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用電氣公司美國通用電氣公司

CED4311

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-33A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED4311

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-33A,RDS(ON)=18mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=30mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM4311

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-9.3A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEM4311

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

CEM4311

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

CEM4311

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-9.3A,RDS(ON)=18mW@VGS=-10V. RDS(ON)=30mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU4311

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-33A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEU4311

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

CEU4311

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-33A,RDS(ON)=18mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=30mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BU4311FVE-TR

  • 功能描述：

    電壓監(jiān)測器/監(jiān)控器 CMOS LOW VOLT DETEC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 監(jiān)測電壓數(shù)：

    2

  • 監(jiān)測電壓：

    Adjustable

  • 輸出類型：

    Open Drain

  • 準確性：

    1 %

  • 工作電源電壓：

    1.5 V to 6.5 V

  • 工作電源電流：

    1.8 uA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    SON-6

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BU4311FVE-TR供應商 更新時間2025-7-29 16:50:00

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