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BU406G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BU406G
廠商型號

BU406G

參數(shù)屬性

BU406G 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 200V 7A TO220

功能描述

NPN Power Transistors
TRANS NPN 200V 7A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

127.03 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-17 20:00:00

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BU406G規(guī)格書詳情

BU406G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BU406G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES ? 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s.

特性 Features

? High Voltage: VCEV = 330 or 400 V

? Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BU406G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5mA

  • 頻率 - 躍遷:

    10MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 7A TO220

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