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BTA08-800CW3G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_雙向可控硅 8A 35mA 800V IGT 3 QUAD INTERNL ISLTD一線半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    BTA08-800CW3G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫存數(shù)量：

    8866

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-2203LEADSTANDA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-27 16:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BTA08-800CW3G品牌：ON

  • 芯片型號(hào)：

    BTA08-800CW3G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    137.21 kb

  • 資料說明：

    Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    BTA08-800CW3G

  • 功能描述：

    雙向可控硅 8A 35mA 800V IGT 3 QUAD INTERNL ISLTD

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 開啟狀態(tài)：

    RMS

  • 電流(It_RMS)：

    16 A

  • 不重復(fù)通態(tài)電流：

    120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    600 V

  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    5 uA

  • 開啟狀態(tài)電壓：

    保持電流（Ih

  • 最大值）：

    45 mA

  • 柵觸發(fā)電壓(Vgt)：

    1.3 V

  • 柵觸發(fā)電流(Igt)：

    1.75 mA

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    云S/廖S

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83789203/18165726413

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

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