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BSZ120P03NS3E G數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

BSZ120P03NS3E G

功能描述

20V-250V P-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-8 8:04:00

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BSZ120P03NS3E G規(guī)格書詳情

描述 Description

英飛凌高度創(chuàng)新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。這些產(chǎn)品始終滿足電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵規(guī)范中的至高質(zhì)量和性能要求,例如導(dǎo)通電阻特性和品質(zhì)因數(shù)特性。

特性 Features

? 增強(qiáng)模式
? 正常電平、邏輯電平或超邏輯電平
? 雪崩評(píng)級(jí)
? 無鉛鍍層;符合 RoHS

優(yōu)勢(shì):

應(yīng)用 Application

? 消費(fèi)品
? 直流-直流
? 電動(dòng)交通
? 電機(jī)控制
? 應(yīng)用指南
? 板載充電器

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :BSZ120P03NS3E G

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Package?

    :S3O8 (3x3mm style SuperSO8)

  • VDS?max

    :-30.0V

  • RDS (on)?max

    :12.0m?

  • ID ?max

    :-40.0A

  • Ptot?max

    :52.0W

  • IDpuls?max

    :-160.0A

  • VGS(th)?min?max

    :-3.1V?-1.9V

  • QG?

    :30.0nC?

  • Rth?

    :2.4K/W?

  • Ciss?

    :2240.0pF?

  • Coss?

    :1090.0pF?

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