BSS52分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BSS52 |
參數(shù)屬性 | BSS52 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO39 |
功能描述 | NPN Darlington transistors |
封裝外殼 | TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 |
文件大小 |
228.07 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-9-1 11:30:00 |
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BSS52規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NPN Darlington transistor in a TO-39 metal package. PNP complements: BSS61 and BSS62.
FEATURES
? High current (max. 1 A)
? Low voltage (max. 80 V)
? Integrated diode and resistor.
APPLICATIONS
? Industrial high gain amplification.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BSS52
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.6V @ 4mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 500mA,10V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-39
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 1A TO39
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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